紫外LED與深紫外LED的新發展

       紫外LED的用途廣泛:UVA:大于315nm,可以用于醫療,印刷,光刻,驗鈔和光催化等;UVB:280到315nm,用于醫療,生物分析(如DNA)等;UVC:小于280nm,用于殺菌(水、空氣凈化)和成分分析等。 
  在報告中,Akira Hirano教授介紹了一種紫外LED與深紫外LED的制備實驗。實驗過程中,采用倒裝結構,芯片尺寸為800*800μm2,P電極面積為0.15mm2,電流密度在0.1A下為66A/cm2。為提高出光效率,在藍寶石襯底的表面制作餓眼抗反射結構。最終分別制備了發光波長為354nm(GaN阱,非橫向外延),280nm(Al0.35Ga0.65N阱,非橫向外延)和259nm(Al0.57Ga0.43N阱,非橫向外延)的紫外LED。 
  結果顯示,354nm的LED在500mA直流下發光功率為50毫瓦,200mA下壽命為500小時(功率下降70%)。280nm的LED在500mA直流下發光功率為75毫瓦。259nm的LED在500mA直流下發光功率為38毫瓦。采用橫向外延技術的GaN阱的發光波長為343nm,500mA直流下發光功率為75毫瓦。
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點擊次數:  更新時間:2011-05-16 16:33:02  【打印此頁】  【關閉
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